DTC123JMFHAT2L
DTC123JMFHAT2L
Modèle de produit:
DTC123JMFHAT2L
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
55122 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.DTC123JMFHAT2L.pdf2.DTC123JMFHAT2L.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur:VMT3
Séries:Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:SOT-723
Autres noms:DTC123JMFHAT2LCT
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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