DTC123JEBTL
DTC123JEBTL
Modèle de produit:
DTC123JEBTL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
52235 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.DTC123JEBTL.pdf2.DTC123JEBTL.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:EMT3F (SOT-416FL)
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-89, SOT-490
Autres noms:DTC123JEBTL-ND
DTC123JEBTLTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:DTC123
Email:[email protected]

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