DTC114EUBTL
DTC114EUBTL
Modèle de produit:
DTC114EUBTL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
29131 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.DTC114EUBTL.pdf2.DTC114EUBTL.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:UMT3F
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-85
Autres noms:DTC114EUBTL-ND
DTC114EUBTLTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):50mA
Numéro de pièce de base:DTC114
Email:[email protected]

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