DTC114EUBHZGTL
DTC114EUBHZGTL
Modèle de produit:
DTC114EUBHZGTL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21215 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.DTC114EUBHZGTL.pdf2.DTC114EUBHZGTL.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur:UMT3F
Séries:Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-85
Autres noms:DTC114EUBHZGTLTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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