DMT6009LFG-7
DMT6009LFG-7
Modèle de produit:
DMT6009LFG-7
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET N-CH 60V 11A
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
42547 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DMT6009LFG-7.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerDI3333-8
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:DMT6009LFG-7DICT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1925pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:33.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11A (Ta), 34A (Tc)
Email:[email protected]

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