DMT6009LFG-7
DMT6009LFG-7
Número de pieza:
DMT6009LFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 11A
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
42547 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMT6009LFG-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerDI3333-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 13.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:DMT6009LFG-7DICT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1925pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 34A (Tc)
Email:[email protected]

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