CSD87312Q3E
Modèle de produit:
CSD87312Q3E
Fabricant:
TI
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Statut sans plomb:
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
27394 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
CSD87312Q3E.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-VSON (3.3x3.3)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 7A , 8V
Puissance - Max:2.5W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:296-35526-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:27A
Numéro de pièce de base:CSD87312
Email:[email protected]

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