CSD85312Q3E est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour CSD85312Q3E, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour CSD85312Q3E par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez CSD85312Q3E avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
CSD85312Q3E
- Modèle de produit:
- CSD85312Q3E
- Fabricant:
- TI
- La description:
- MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 30367 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- CSD85312Q3E.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Séries: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
| Puissance - Max: | 2.5W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | 296-37187-2 CSD85312Q3E-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 35 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2390pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.2nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Fonction FET: | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 39A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes CSD85312Q3E
Latest Nouvelles
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix