CSD25501F3T
Modèle de produit:
CSD25501F3T
Fabricant:
TI
La description:
20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
Quantité en stock:
54629 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
CSD25501F3T.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.05V @ 250µA
Vgs (Max):-20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:3-LGA (0.73x0.64)
Séries:FemtoFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:76 mOhm @ 400mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max):500mW (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:3-XFLGA
Autres noms:296-47556-6
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:35 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:385pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1.33nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-LGA (0.73x0.64)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.6A (Ta)
Email:[email protected]

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