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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BDW83B
BDW83B
Modèle de produit:
BDW83B
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
POWER TRANSISTOR NPN TO218
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
48261 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
BDW83B.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:-
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-218
Séries:-
Puissance - Max:130W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-218-3
Température de fonctionnement:-
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 15A 130W Through Hole TO-218
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:750 @ 6A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):15A
Email:[email protected]

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