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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BDW83C-TO218
BDW83C-TO218
BDW83C-TO218
Modèle de produit:
BDW83C-TO218
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
TRANS NPN DARL 100V 15A TO-218
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
28300 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
BDW83C-TO218.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:4V @ 150mA, 15A
Transistor Type:NPN - Darlington
Package composant fournisseur:TO-218
Séries:-
Puissance - Max:130W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-218-3, TO-218AC
Autres noms:BDW83CTO218
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 15A 130W Through Hole TO-218
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:750 @ 6A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):15A
Email:[email protected]

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