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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTMC120HM17CT3AG
APTMC120HM17CT3AG
Modèle de produit:
APTMC120HM17CT3AG
Fabricant:
Microsemi
La description:
POWER MODULE - SIC MOSFET
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
53278 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTMC120HM17CT3AG.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 30mA
Package composant fournisseur:SP3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:17 mOhm @ 100A, 20V
Puissance - Max:750W
Package / Boîte:Module
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5576pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:332nC @ 5V
type de FET:4 N-Channel
Fonction FET:Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Description détaillée:Mosfet Array 4 N-Channel 1200V (1.2kV) 147A (Tc) 750W Chassis Mount SP3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:147A (Tc)
Email:[email protected]

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