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APTMC120AM16CD3AG
APTMC120AM16CD3AG
Modèle de produit:
APTMC120AM16CD3AG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
44906 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTMC120AM16CD3AG.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 5mA (Typ)
Package composant fournisseur:D3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 100A, 20V
Puissance - Max:625W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:D-3 Module
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4750pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:246nC @ 20V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 131A (Tc) 625W Chassis Mount D3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:131A (Tc)
Email:[email protected]

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