70T3339S200BC8
70T3339S200BC8
Modèle de produit:
70T3339S200BC8
Fabricant:
IDT (Integrated Device Technology)
La description:
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
23287 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
70T3339S200BC8.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:2.4 V ~ 2.6 V
La technologie:SRAM - Dual Port, Synchronous
Package composant fournisseur:256-CABGA (17x17)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:256-LBGA
Autres noms:IDT70T3339S200BC8
IDT70T3339S200BC8-ND
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):4 (72 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:9Mb (512K x 18)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée:SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 200MHz 3.4ns 256-CABGA (17x17)
Fréquence d'horloge:200MHz
Numéro de pièce de base:IDT70T3339
Temps d'accès:3.4ns
Email:[email protected]

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