70T3339S200BC8 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für 70T3339S200BC8, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 70T3339S200BC8 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie 70T3339S200BC8 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
70T3339S200BC8
- Artikelnummer:
- 70T3339S200BC8
- Hersteller:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Beschreibung:
- IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 23287 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 70T3339S200BC8.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Technologie: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Supplier Device-Gehäuse: | 256-CABGA (17x17) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 256-LBGA |
| Andere Namen: | IDT70T3339S200BC8 IDT70T3339S200BC8-ND |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 9Mb (512K x 18) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 200MHz 3.4ns 256-CABGA (17x17) |
| Uhrfrequenz: | 200MHz |
| Basisteilenummer: | IDT70T3339 |
| Zugriffszeit: | 3.4ns |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für 70T3339S200BC8
läst Nachrichten
- Die ADI -Leistung wird reduziert, Kupferfoliensubstrate sind gestiegen, die Lagerung der ursprünglichen Fabrik erhöhen Produktion konservativ
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt