1N4007G
1N4007G
Modèle de produit:
1N4007G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
33731 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1N4007G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.1V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max):1000V
Package composant fournisseur:DO-41
La vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries:-
Emballage:Bulk
Package / Boîte:DO-204AL, DO-41, Axial
Autres noms:1N4007GOS
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
Courant - fuite, inverse à Vr:10µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io):1A
Capacité à Vr, F:-
Numéro de pièce de base:1N4007
Email:[email protected]

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