1N4007G
1N4007G
Modelo do Produto:
1N4007G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
33731 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1N4007G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.1V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1000V
Embalagem do dispositivo fornecedor:DO-41
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:DO-204AL, DO-41, Axial
Outros nomes:1N4007GOS
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 1000V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:-
Número da peça base:1N4007
Email:[email protected]

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