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Carte de ligne

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.
image Modèle de produit La description Vue
FR16B02 DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 Enquête
GSID100A120T2C1 SILICON IGBT MODULES Enquête
S25G DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA Enquête
GP1M008A025CG Image GP1M008A025CG MOSFET N-CH 250V 8A DPAK Enquête
FR16BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 Enquête
GSXF100A060S1-D3 Image GSXF100A060S1-D3 DIODE FAST REC 600V 100A SOT227 Enquête
GP2M008A060PGH Image GP2M008A060PGH MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK Enquête
GSXD100A012S1-D3 Image GSXD100A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227 Enquête
GP2M012A080NG Image GP2M012A080NG MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN Enquête
GP2M013A050F Image GP2M013A050F MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Enquête
1N3765 DIODE GEN PURP 700V 35A DO5 Enquête
FR40D02 DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 Enquête
FR6G02 DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 Enquête
S12K DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 Enquête
GHXS030A060S-D3 Image GHXS030A060S-D3 DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227 Enquête
MUR2540R DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4 Enquête
FST12080 Image FST12080 DIODE MODULE 80V 120A TO249AB Enquête
GSID300A125S5C1 Image GSID300A125S5C1 IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS Enquête
S6BR DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 Enquête
GP2M005A060HG Image GP2M005A060HG MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 Enquête
1N2135A DIODE GEN PURP 400V 60A DO5 Enquête
GHXS030A060S-D1 Image GHXS030A060S-D1 MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227 Enquête
GHXS045A120S-D1 Image GHXS045A120S-D1 MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227 Enquête
FR6GR05 DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 Enquête
FR6DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 Enquête
GKR26/08 DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 Enquête
GSXD050A015S1-D3 Image GSXD050A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227 Enquête
GP1M003A050CG Image GP1M003A050CG MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK Enquête
MBRT200150R Image MBRT200150R DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER Enquête
GSXD100A006S1-D3 Image GSXD100A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227 Enquête
GSXD160A015S1-D3 Image GSXD160A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227 Enquête
GP2D008A120C DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L Enquête
GP1M003A080PH Image GP1M003A080PH MOSFET N-CH 800V 3A IPAK Enquête
GSID150A120S3B1 SILICON IGBT MODULES Enquête
FR30BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 30A DO5 Enquête
GP1M004A090H Image GP1M004A090H MOSFET N-CH 900V 4A TO220 Enquête
GHXS045A120S-D3 Image GHXS045A120S-D3 DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227 Enquête
FR30M05 DIODE GEN PURP 1KV 30A DO5 Enquête
GSXD080A008S1-D3 Image GSXD080A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227 Enquête
FR20MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 20A DO5 Enquête
FR40B02 DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 Enquête
GSXD100A015S1-D3 Image GSXD100A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227 Enquête
GP1M007A065CG Image GP1M007A065CG MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK Enquête
GP2M010A065F Image GP2M010A065F MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F Enquête
GSXD100A018S1-D3 Image GSXD100A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227 Enquête
GKN26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 Enquête
S16QR DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA Enquête
1N1199A Image 1N1199A DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 Enquête
GSXD050A018S1-D3 Image GSXD050A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227 Enquête
GSXD300A170S2D5 DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK Enquête
Disques 639
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