Linie Karte

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.
Image Artikelnummer Beschreibung Aussicht
FR16B02 DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 Anfrage
GSID100A120T2C1 SILICON IGBT MODULES Anfrage
S25G DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA Anfrage
GP1M008A025CG Image GP1M008A025CG MOSFET N-CH 250V 8A DPAK Anfrage
FR16BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 Anfrage
GSXF100A060S1-D3 Image GSXF100A060S1-D3 DIODE FAST REC 600V 100A SOT227 Anfrage
GP2M008A060PGH Image GP2M008A060PGH MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK Anfrage
GSXD100A012S1-D3 Image GSXD100A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227 Anfrage
GP2M012A080NG Image GP2M012A080NG MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN Anfrage
GP2M013A050F Image GP2M013A050F MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Anfrage
1N3765 DIODE GEN PURP 700V 35A DO5 Anfrage
FR40D02 DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 Anfrage
FR6G02 DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 Anfrage
S12K DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 Anfrage
GHXS030A060S-D3 Image GHXS030A060S-D3 DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227 Anfrage
MUR2540R DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4 Anfrage
FST12080 Image FST12080 DIODE MODULE 80V 120A TO249AB Anfrage
GSID300A125S5C1 Image GSID300A125S5C1 IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS Anfrage
S6BR DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 Anfrage
GP2M005A060HG Image GP2M005A060HG MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 Anfrage
1N2135A DIODE GEN PURP 400V 60A DO5 Anfrage
GHXS030A060S-D1 Image GHXS030A060S-D1 MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227 Anfrage
GHXS045A120S-D1 Image GHXS045A120S-D1 MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227 Anfrage
FR6GR05 DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 Anfrage
FR6DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 Anfrage
GKR26/08 DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 Anfrage
GSXD050A015S1-D3 Image GSXD050A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227 Anfrage
GP1M003A050CG Image GP1M003A050CG MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK Anfrage
MBRT200150R Image MBRT200150R DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER Anfrage
GSXD100A006S1-D3 Image GSXD100A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227 Anfrage
GSXD160A015S1-D3 Image GSXD160A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227 Anfrage
GP2D008A120C DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L Anfrage
GP1M003A080PH Image GP1M003A080PH MOSFET N-CH 800V 3A IPAK Anfrage
GSID150A120S3B1 SILICON IGBT MODULES Anfrage
FR30BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 30A DO5 Anfrage
GP1M004A090H Image GP1M004A090H MOSFET N-CH 900V 4A TO220 Anfrage
GHXS045A120S-D3 Image GHXS045A120S-D3 DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227 Anfrage
FR30M05 DIODE GEN PURP 1KV 30A DO5 Anfrage
GSXD080A008S1-D3 Image GSXD080A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227 Anfrage
FR20MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 20A DO5 Anfrage
FR40B02 DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 Anfrage
GSXD100A015S1-D3 Image GSXD100A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227 Anfrage
GP1M007A065CG Image GP1M007A065CG MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK Anfrage
GP2M010A065F Image GP2M010A065F MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F Anfrage
GSXD100A018S1-D3 Image GSXD100A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227 Anfrage
GKN26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 Anfrage
S16QR DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA Anfrage
1N1199A Image 1N1199A DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 Anfrage
GSXD050A018S1-D3 Image GSXD050A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227 Anfrage
GSXD300A170S2D5 DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK Anfrage
Aufzeichnungen 639