ZXMHC3A01N8TC
ZXMHC3A01N8TC
Número de pieza:
ZXMHC3A01N8TC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
34455 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
ZXMHC3A01N8TC.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:125 mOhm @ 2.5A, 10V
Potencia - Max:870mW
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:ZXMHC3A01N8DIDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.9nC @ 10V
Tipo FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.17A, 1.64A
Número de pieza base:ZXMHC3A01
Email:[email protected]

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