ZXMHC3A01N8TC
ZXMHC3A01N8TC
Modello di prodotti:
ZXMHC3A01N8TC
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34455 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
ZXMHC3A01N8TC.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:125 mOhm @ 2.5A, 10V
Potenza - Max:870mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:ZXMHC3A01N8DIDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.9nC @ 10V
Tipo FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.17A, 1.64A
Numero di parte base:ZXMHC3A01
Email:[email protected]

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