TSM60NB099CZ C0G está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para TSM60NB099CZ C0G, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para TSM60NB099CZ C0G por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre TSM60NB099CZ C0G con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
TSM60NB099CZ C0G
- Número de pieza:
- TSM60NB099CZ C0G
- Fabricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descripción:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 60379 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- TSM60NB099CZ C0G.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 99 mOhm @ 11.3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 298W (Tc) |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Otros nombres: | TSM60NB099CZ C0G-ND TSM60NB099CZC0G |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2587pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 62nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción detallada: | N-Channel 600V 38A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 38A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de TSM60NB099CZ C0G
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga