TSM60NB099CZ C0G
TSM60NB099CZ C0G
Modelo do Produto:
TSM60NB099CZ C0G
Fabricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
60379 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TSM60NB099CZ C0G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:99 mOhm @ 11.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):298W (Tc)
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:TSM60NB099CZ C0G-ND
TSM60NB099CZC0G
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2587pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 38A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

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