STP180N4F6 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para STP180N4F6, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para STP180N4F6 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre STP180N4F6 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
STP180N4F6
- Número de pieza:
- STP180N4F6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descripción:
- MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 42070 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- STP180N4F6.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220 |
| Serie: | STripFET™ F6 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | - |
| La disipación de energía (máximo): | 190W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 38 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción detallada: | N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de STP180N4F6
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC