STP18N55M5
STP18N55M5
Número de pieza:
STP18N55M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
55313 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
STP18N55M5.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs:192 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo):110W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-10963-5
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:31nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:550V
Descripción detallada:N-Channel 550V 16A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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