SIA513DJ-T1-GE3
SIA513DJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA513DJ-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
56137 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SIA513DJ-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Potencia - Max:6.5W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Otros nombres:SIA513DJ-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A
Número de pieza base:SIA513
Email:[email protected]

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