SIA513DJ-T1-GE3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIA513DJ-T1-GE3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIA513DJ-T1-GE3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIA513DJ-T1-GE3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIA513DJ-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SIA513DJ-T1-GE3
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56137 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SIA513DJ-T1-GE3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 6.5W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| اسماء اخرى: | SIA513DJ-T1-GE3CT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 360pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 12nC @ 10V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.5A |
| رقم جزء القاعدة: | SIA513 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIA513DJ-T1-GE3
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل