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RN1102MFV,L3F
- Número de pieza:
- RN1102MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 35881 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RN1102MFV,L3F.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | VESM |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-723 |
| Otros nombres: | RN1102MFV(TL3T)CT RN1102MFV(TL3T)CT-ND RN1102MFVL3F(BCT RN1102MFVL3F(BCT-ND RN1102MFVL3FCT |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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