QS6M4TR
QS6M4TR
Número de pieza:
QS6M4TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
59160 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.QS6M4TR.pdf2.QS6M4TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSMT6 (SC-95)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potencia - Max:1.25W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:QS6M4DKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V, 20V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.5A
Número de pieza base:*M4
Email:[email protected]

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