CWDM305ND TR13
Número de pieza:
CWDM305ND TR13
Fabricante:
Central Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
33956 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
CWDM305ND TR13.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:30 mOhm @ 2.9A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:CWDM305ND DKR
CWDM305ND DKR-ND
CWDM305NDDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.3nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.8A
Email:[email protected]

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