NTHL082N65S3F
NTHL082N65S3F
Número de pieza:
NTHL082N65S3F
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
SUPERFET3 650V TO247
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
47158 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NTHL082N65S3F.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247-3
Serie:SuperFET® III
RDS (Max) @Id, Vgs:82 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):313W (Tc)
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:NTHL082N65S3F-ND
NTHL082N65S3FOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):Not Applicable
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3410pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:81nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción detallada:N-Channel 650V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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