NTHD5904NT3
NTHD5904NT3
Número de pieza:
NTHD5904NT3
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Estado sin plomo:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad de stock:
44549 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NTHD5904NT3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ChipFET™
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:65 mOhm @ 3.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):640mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:465pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:N-Channel 20V 2.5A (Ta) 640mW (Ta) Surface Mount ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

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