NTHD3100CT3
NTHD3100CT3
Número de pieza:
NTHD3100CT3
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Estado sin plomo:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad de stock:
59338 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NTHD3100CT3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:ChipFET™
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potencia - Max:1.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:165pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A, 3.2A
Número de pieza base:NTHD3100C
Email:[email protected]

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