NTHC5513T1G está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para NTHC5513T1G, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para NTHC5513T1G por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre NTHC5513T1G con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
NTHC5513T1G
- Número de pieza:
- NTHC5513T1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 1206A
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 33888 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NTHC5513T1G.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | ChipFET™ |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 1.1W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | NTHC5513T1GOS NTHC5513T1GOS-ND NTHC5513T1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A, 2.2A |
| Número de pieza base: | NTHC5513 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NTHC5513T1G
Latest Noticias
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido