MMIX1F160N30T
Número de pieza:
MMIX1F160N30T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
30414 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
MMIX1F160N30T.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:24-SMPD
Serie:GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):570W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:24-PowerSMD, 21 Leads
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:335nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:300V
Descripción detallada:N-Channel 300V 102A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:102A (Tc)
Email:[email protected]

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