MMIX1F360N15T2
MMIX1F360N15T2
Número de pieza:
MMIX1F360N15T2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 235A
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
32995 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
MMIX1F360N15T2.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:24-SMPD
Serie:GigaMOS™, TrenchT2™
RDS (Max) @Id, Vgs:4.4 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):680W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:24-PowerSMD, 21 Leads
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:47500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:715nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción detallada:N-Channel 150V 235A (Tc) 680W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:235A (Tc)
Email:[email protected]

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