MD51V65165E-50TAZ0AR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para MD51V65165E-50TAZ0AR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para MD51V65165E-50TAZ0AR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre MD51V65165E-50TAZ0AR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
MD51V65165E-50TAZ0AR
- Número de pieza:
- MD51V65165E-50TAZ0AR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 26531 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MD51V65165E-50TAZ0AR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 84ns |
| Suministro de voltaje: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | DRAM |
| Paquete del dispositivo: | 50-TSOP II |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Otros nombres: | MD51V65165E-50TA03A7 MD51V65165E-50TA03A7-ND MD51V65165E-50TAZ MD51V65165E-50TAZ0AR-ND MD51V65165E50TAZ0AR |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 2 (1 Year) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 64Mb (4M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | DRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 25ns 50-TSOP II |
| Número de pieza base: | MD51V65165E |
| Tiempo de acceso: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MD51V65165E-50TAZ0AR
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC