IXTP50N25T está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para IXTP50N25T, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para IXTP50N25T por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre IXTP50N25T con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
IXTP50N25T
- Número de pieza:
- IXTP50N25T
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 38557 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IXTP50N25T.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Prueba: | 4000pF @ 25V |
| Tensión - Desglose: | TO-220AB |
| VGS (th) (Max) @Id: | 50 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tube |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 50A (Tc) |
| Polarización: | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXTP50N25T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 78nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 5V @ 1mA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 250V 50A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 250V |
| relación de capacidades: | 400W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXTP50N25T
Latest Noticias
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido