IXTP50N25T je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za IXTP50N25T, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za IXTP50N25T putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi IXTP50N25T s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
IXTP50N25T
- Dio brojeva:
- IXTP50N25T
- Proizvođač:
- IXYS Corporation
- Opis:
- MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 38557 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- IXTP50N25T.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Napon - ispitivanje: | 4000pF @ 25V |
| Napon - kvar: | TO-220AB |
| Vgs (th) (maks.) @ Id: | 50 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tehnologija: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Niz: | - |
| RoHS Status: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 50A (Tc) |
| Polarizacija: | TO-220-3 |
| Radna temperatura: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vrsta montaže: | Through Hole |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Proizvođač Standardno vrijeme dovršetka: | 8 Weeks |
| Broj proizvođača: | IXTP50N25T |
| Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds: | 78nC @ 10V |
| Vrsta IGBT-a: | ±30V |
| Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs: | 5V @ 1mA |
| FET značajka: | N-Channel |
| Prošireni opis: | N-Channel 250V 50A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Ispustite izvor napona (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 |
| Tekuća - Kontinuirano pražnjenje (Id) @ 25 ° C: | 250V |
| Omjer kapaciteta: | 400W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za IXTP50N25T
Najnovije vijesti
- Adi performanse su smanjene, supstrati bakrene folije su porasle, skladištenje originalnih tvorničkih povećanja proizvodnje Konzervativno
- Dolazi val inteligencije u automobilu, a Aimus Oslang pomogao je Sagiti Juguang da pusti MX Lidar
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih
- Najavljeno je financijsko izvješće NXP i Ansonmei, a cijena cijene bakra prenosi se IC industriji
- Moels Micro Electronics postavio je nove urede u Tajvanu u Kini kako bi proširio poslovni teritorij
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Financijsko izvješće u prvom tromjesečju smanjuje se SEF Semiconductor (ST), a potražnja za automobilima je usporila