HP8K22TB
HP8K22TB
Número de pieza:
HP8K22TB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
39433 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.HP8K22TB.pdf2.HP8K22TB.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-HSOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.6 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max:25W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:HP8K22TBDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16.8nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:27A, 57A
Email:[email protected]

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