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HP8K22TB
- Modello di prodotti:
- HP8K22TB
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 39433 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.HP8K22TB.pdf2.HP8K22TB.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-HSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Potenza - Max: | 25W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | HP8K22TBDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 40 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 27A, 57A |
| Email: | [email protected] |
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