GP2M020A060N
GP2M020A060N
Número de pieza:
GP2M020A060N
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
51758 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
GP2M020A060N.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3PN
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:330 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):347W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Otros nombres:1560-1214-1
1560-1214-1-ND
1560-1214-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3184pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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