GP2M012A060F está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para GP2M012A060F, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para GP2M012A060F por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre GP2M012A060F con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
GP2M012A060F
- Número de pieza:
- GP2M012A060F
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 51909 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- GP2M012A060F.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220F |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 650 mOhm @ 6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 53.4W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres: | 1560-1210-1 1560-1210-1-ND 1560-1210-5 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1890pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción detallada: | N-Channel 600V 12A (Tc) 53.4W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de GP2M012A060F
Latest Noticias
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?