FQD7P06TM
Número de pieza:
FQD7P06TM
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
55385 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.FQD7P06TM.pdf2.FQD7P06TM.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:451 mOhm @ 2.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 28W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FQD7P06TM-ND
FQD7P06TMTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:295pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.2nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:P-Channel 60V 5.4A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.4A (Tc)
Email:[email protected]

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