FQD7P06TM
Modelo do Produto:
FQD7P06TM
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
55385 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.FQD7P06TM.pdf2.FQD7P06TM.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-Pak
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:451 mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 28W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FQD7P06TM-ND
FQD7P06TMTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:295pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:P-Channel 60V 5.4A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.4A (Tc)
Email:[email protected]

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