FDS4070N7
FDS4070N7
Número de pieza:
FDS4070N7
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
47647 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDS4070N7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 15.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):3W (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:FDS4070N7DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2819pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:67nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:N-Channel 40V 15.3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15.3A (Ta)
Email:[email protected]

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