FDS3912
FDS3912
Número de pieza:
FDS3912
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
58658 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDS3912.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:125 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max:900mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:632pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A
Email:[email protected]

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