FDC6322C
FDC6322C
Número de pieza:
FDC6322C
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
53772 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDC6322C.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SuperSOT™-6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Potencia - Max:700mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9.5pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:220mA, 460mA
Email:[email protected]

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