FDC6306P
FDC6306P
Número de pieza:
FDC6306P
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
41758 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FDC6306P.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SuperSOT™-6
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:170 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Potencia - Max:700mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:FDC6306PTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:441pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.9A
Email:[email protected]

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