FDC6306P
FDC6306P
Modelo do Produto:
FDC6306P
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
41758 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDC6306P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT™-6
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:170 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power - Max:700mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:FDC6306PTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:441pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.9A
Email:[email protected]

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